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碳化硅-雜質

碳化硅 維基百科,自由的百科全書

純的碳化硅是無色的,工業用碳化硅由於含有鐵等雜質而呈現棕色至黑色。 晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產生的二氧化硅 鈍化層 所致。 碳化硅高達2700°C的升華溫度使得 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用 石英砂 、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过 电阻炉 高温冶炼而成。. 碳化硅在大自然也存在罕见的矿物, 莫桑石 。. 在C、N、B等非氧化物 碳化硅_百度百科

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碳化硅 维基百科,自由的百科全书

碳化矽 (英語: silicon carbide,carborundum ),化學式SiC,俗称 金刚砂 ,宝石名称 钻髓 ,为 硅 与 碳 相键结而成的 陶瓷 状 化合物 ,碳化矽在大自然以 莫桑石 这种稀有的 碳化硅 外文名 silicon carbide 別 名 硅化碳; 一碳化硅 化學式 SiC 分子量 40.096 CAS登錄號 409-21-2 EINECS登錄號 206-991-8 熔 點 2700 ℃ 水溶性 不溶 密 度 碳化硅_百度百科

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第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展

碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体: 将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合, 于2,000 ℃以上的高温 近20 多年来,以碳化硅(silicon carbide,SiC) 为代表的宽禁带半导体器件,受到了广泛的关注。 SiC 材料具有3 倍于硅材料的禁带宽度,10 倍于硅 材料的临界击穿电场强度,3 倍 碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE

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什么是碳化硅,碳化硅主要成分和用途

碳化硅的用处. 碳化硅制品具有耐高温、耐磨、耐热震、耐化学腐蚀、耐辐射和杰出的导电性、导热性等特别功用,因而在国民经济各部门中具有广泛的用处。. 在我国,绿碳化硅首要用做磨料。. 黑碳化硅用 碳化硅(又名:碳硅石、金钢砂或耐火砂),化学简式:sic,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物,莫桑石中。在当代c、n、b等非氧 碳化硅

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国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进

4 碳化硅陶瓷应用进展. 碳化硅陶瓷作为一种高性能结构陶瓷材料,具有金属等结构材料无法比拟的优异综合性能:(1)高温强度高、高温蠕变小,适应各种高温环境。(2)低热膨胀系数、高热传导率,具 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。. 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网 【科普】一文带你了解碳化硅的产业链结构及应用

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PVT 法生长 4H-SiC 晶体及多型夹杂缺陷研究进展-icspec

1 PVT法生长碳化硅晶体 1955年,Lely等首次提出了一种用于制备碳化硅晶体的升华技术,自此开启了碳化硅材料制备及器件制造的新局面。 遗憾的是,由于该方法所得晶体尺寸有限、形状不规则且容易包含多种晶型,难 碳化硅衬底主要有2大类型:半绝缘型和导电型。在半绝缘型碳化硅市场,目前主流的衬底产品 规格为4 英寸。在导电型碳化硅市场,目前主流的衬底产品规格为 6 英寸。 由于下游应用在射频领域,半绝缘型SiC衬底、外延材料均受到美国商务部出口管制。《行业深度研究:碳化硅: 冉冉升起的第三代半导体》

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中科院完成目前世界上最大口径碳化硅单体反射镜

0. #看视频的时候,全程着迷于 张所 的 东北话 #. 下午的验收会上,说的是 中科院长春光机所完成了4.03米大口径SiC(碳化硅)反射镜研制,这也是公开报道的世界上最大口径碳化硅单体反射镜。. 将这只闪亮的大眼睛装到望远镜中,能极大地提升望远镜分辨 碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。 特斯拉 作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他一线车企亦皆计划扩大碳 第三代半导体材料之碳化硅(SiC) 碳化硅(SiC)材料

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为什么碳化硅要用外延,而不是直接切一片厚的晶圆

碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。 实际应用中,宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上,碳化硅晶片本身只作为衬底,包括GaN外延层的衬底。碳化硅简介. SiC晶型有α和β两种形式,反映温度低于1600℃时,反应产物则以β-SiC形式存在;反映温度高于1600℃时,β-SiC逐渐转变成α-SiC的各种多型体,反映温度2400℃时,则会完全转变成α-SiC。. 该冶炼制得的SiC若不含有杂质,呈现无色透明晶体状态,若含有碳化硅简介

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碳化硅(SiC)MOSFET 技术发展史回顾

碳化硅(SiC)MOSFET 技术发展史回顾. 梁上尘. 梁上尘土. 碳化硅(SiC)是一种广泛使用的老牌工业材料,1893年已经开始大规模生产了,至今一直在使用。. 不过自然界中很难找到碳化硅,在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。. 由于碳化硅的硬度很高,碳化硅的爱词霸权威在线词典,为您提供碳化硅的中文意思,碳化硅的用法讲解,碳化硅的读音,碳化硅的同义词,碳化硅的反义词,碳化硅的例句等英语服务。 碳化硅是什么意思_碳化硅用英语怎么说_碳化硅的翻译_碳化硅翻译成_碳化硅的中文意思_碳化硅怎么读,碳化硅的读音,碳化硅的用法,碳 碳化硅是什么意思_碳化硅的翻译_音标_读音_用法_例句

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AlSic_百度百科

AlSiC即铝碳化硅,是铝基碳化硅颗粒增强复合材料的简称,业内又称碳化硅铝或“奥赛克”。根据碳化硅的含量分为低体积分数、中体积分数和高体积分数,其中电子材料应用以高体积分数为主。电子封装中常用的有AlSiC7、AlSiC8系列。书中详细介绍了碳化硅材料在功率器件、微波器件和光电子器件中的应用。重点讲解了碳化硅功率器件的结构和特点,如MOSFET、JFET、Schottky二极管和晶体管。书中还讨论了碳化硅器件制造中的关键技术和挑战,包括工艺和加工技术、掺杂和封装技术等。《碳化硅技术基础》书评:SiC工艺的增长、表征

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碳化硅衬底篇

碳化硅衬底篇-DT新材料原创. 随着下游新能源汽车、充电桩、光伏、5G基站等领域的爆发,引爆了对第三代半导体——碳化硅材料衬底、外延与器件方面的巨大市场需求,国内众多企业纷纷通过加强技术研发与资本投入布局碳化硅产业,今天我们首先来探讨一 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料,在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性,便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除,避免发生爆炸,因为合成IT碳化硅,将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 百家号

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碳化硅_百度百科

碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂以碳化硅为代表的第三代半导体材料往往具备更宽的禁带宽度,因此也被称为宽禁带半导体材料(大于 2.3eV)。. 由于氮化镓在材料制备环节仍有技术难度,当前具备大规模量产条件的可用于制备功率器件的第三代半导体材料仅有碳化硅。. 4H 型碳化硅的禁带 第三代半导体材料-碳化硅介绍-电子工程专辑

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碳化硅 維基百科,自由的百科全書

氮和鋁是碳化硅中常見的雜質,它們會影響碳化硅的電導率。 純的碳化硅是用Lely法製造的。 通過將碳化硅粉末在2500°C的氬氣氛下升華後再沉積形成鱗片狀的單晶,在較冷的基底上可形成尺寸大到2×2cm 2 的單晶。Lely法能生長出高品質的碳化硅單晶。高电压应用的碳化硅器件对于外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数提出新的要求。因此,碳化硅外延技术对于碳化硅器件性能的充分发挥具有决定性的作用,几乎所有SiC功率器件的制备均是基于高质量SiC外延片,外延层的制作是宽禁带半导体产业重要的一环。[初探半导体产业]一文搞懂"衬底"“外延”的区别和

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高性能碳化硅的成型与烧结工艺分析-(7945) 豆丁网

高性能碳化硅的成型与烧结工艺分析- (7945).pdf. 致谢本论文的工作是在我的导师张志力副教授的悉心指导下完成的,张教授严谨的治学态度和科学的工作方法给了我极大的帮助和影响。. 在此衷心感谢两年来张老师对我的关心和指导。. 感谢国北京交通大学科技目前碳化硅产业下游需求旺盛,但上游材料端工艺和良率瓶颈亟待突破,产能不足现象严重制约碳化硅应用起量。. 无论是上游还是下游,皆呈现“得材料者得天下”的态势。. 本文主要内容来自《【方正电子行业深度报告】碳化硅(SiC)行业研究框架 ——“新“新能半导”大时代新核“芯”——一文读懂碳化硅

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碳化硅的用途有哪些?碳化硅在高温下能与氧发生

碳化硅常用于制造耐火材料、陶瓷制品、切削工具、电子元件等产品,也被用于制造半导体器件。. 在高温下,碳化硅可以与氧发生反应,形成二氧化碳气体。. 这种反应可以在空气中发生,也可以在氧化剂的存在下进行。. 因此,在碳化硅的应用过程中,需要中文标准名称: 碳化硅特种制品 反应烧结碳化硅窑具 第3部分:辊棒. 英文标准名称:Special products of silicon carbide—Kiln furniture of reaction bonded silicon carbide—Part 3:Rollers. 标准状态: 现行. 在线预览.国家标准|GB/T 21944.3-2022

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碳化硅_化工百科 ChemBK

碳化硅的硬度很高,莫氏硬度为9.2~9.5,但比金刚石、立方氮化硼等几种物质稍低。碳化硅的热导率很高,大约为氮化硅的2倍;其热膨胀系数约为三氧化二铝的一半;抗弯强度接近氮化硅材料,但断裂韧性比氮化硅小。不溶于水和一般的酸。关键词:碳化硅;背面通孔刻蚀;感应耦合等离子体(ICP);刻蚀速率;选择比. 0引言. SiC与GaN为继Si和GaAs材料之后的第三代半导体材料的典型代表,用其制作的半导体微波功率器件及其微波单片集成电路(MMIC)具有工作温度高、应用频率高、功率输出大、增益高等优点[1-2]。SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究

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碳化硅,silicon carbide,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

工业用碳化硅于1891年研制成功,是最早的人造磨料。在陨石和地壳中虽有少量碳化硅存在,但迄今尚未找到可供开采的矿源。 纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同,而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色,透明度随其纯度不同而异。1.4应用领域. 碳化硅主要有四大应用领域,即:磨料、耐火材料、功能陶瓷及冶金原料。. (1)作为磨料,可用来做磨具,如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。. (2)作为冶金脱氧剂和耐高温材料。. (3)高纯度的单晶,可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。. 主要碳化硅及其在耐火材料中的应用

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电子元器件基础知识——何为碳化硅SiC?

在这里,分以下二个方面进行阐述:一是以传统的硅半导体为基础的“硅(Si)功率元器件”,另一是与Si半导体相比,损耗更低,高温环境条件下工作特性优异,有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅(SiC)功率元器件”。. SiC半导体已经开始实际应用,并且还在英语中翻译"碳化硅". Calibrade: a non-resilient abrasive wheel vitrified clay and silicon carbide. Hybrid silicon carbide power modules for maximum efficiency and power density. Computer Monitor and Control for Smelting Furnace of Carborundum. 当地景点包括碳化硅砂轮,Cardaras殡仪馆,哥伦布沃什博德厂和Sherman碳化硅-翻译为英语-例句中文| Reverso Context

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中南大学黄小忠教授畅言我国碳化硅纤维产业生态

黄小忠教授:. 碳化硅纤维和碳纤维的相同点都是具有高强度、高模量的陶瓷纤维。. 相比于碳纤维而言,碳化硅纤维核心的优势有以下几点:. 1. 高温抗氧化性能. 在高温空气或者有氧环境下,碳化硅纤维的抗氧化性能要比碳纤维强得多。. 现在碳化硅纤维国内

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