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镍精矿设备工作原理碳化硅粉
最火的粉体之一--碳化硅粉
在半导体领域 ，碳化硅被广泛用于制造电力电子设备，如肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。 由于碳化硅的优越性能，如高频高效、耐高压、耐高温、抗辐射能力强以及化学性质稳定等，它在半导体照明、5G通信技术、太阳能、智能电网、新能源并网等战略新兴领域有非常诱人的应用前景 ①熔炼。 镍精矿经干燥脱硫后即送电炉 (或鼓风炉)熔炼，目的是使铜镍的氧化物转变为硫化物，产出低冰镍 (铜镍锍)，同时脉石造渣。 所得到的低冰镍中，镍和铜的总含量为8%-25% (一般为13%-17%)，含硫量为25%。 ②低冰镍的吹炼。 吹炼的目的是为了除去铁和一部分硫，得到含铜和镍70%-75%的高冰镍（镍高锍），而不是金属镍。 转炉 镍：第三篇第四章《镍的冶炼技术与装备—硫化镍矿的火法
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碳化硅粉
碳化硅粉的造粒方法，包括以下步骤： 制备纳米级β-碳化硅粉浆料：将平均粒径不大于1.5μm的β-碳化硅粉与水以及分散剂按质量比 (0.1～0.2)∶1∶ (0.03～0.08)混合均匀，置于砂磨机中循环粉碎，直至混合料中固体物料的粒径为纳米级，得到30-100nm的纳米β-碳化硅粉浆料；向研磨得到的纳米β-碳化硅粉浆料中加入微米级α-碳化硅粉和粘结剂， 其基本原理是优质钢线在晶锭表面高速来回运动，附着在钢丝上的切割液中的金刚石颗粒对晶锭产生剧烈摩擦，使得材料碎裂并从母体表面脱落，达到切割的效果。 02 研磨 研磨的目的是 去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层 。 由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体 工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程
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镍基碳化硅复合材料结构性能第一性原理研究 汉斯出版社
本文运用第一性原理方法开展了对镍基碳化硅复合材料的研究，对四个位置掺杂氦原子后氦缺陷形成能计算，得到氦原子分布概率最大的位置；对掺杂氦后的界面键合状况分析，初步解释了纳米碳化硅颗粒在镍基体中的抗氦脆机理。碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用 石英砂 、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过 电阻炉 高温冶炼而成。 碳化硅在大自然也存在罕见的矿物， 莫桑石 。 在C、N、B等非氧化物高技术 耐火原料 中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为 金钢砂 或 耐火砂 。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化 碳化硅_百度百科
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碳化硅：第三代半导体核心材料-新华网
碳化硅：第三代半导体核心材料. 第三代半导体又叫宽禁带半导体，是以碳化硅、氮化镓等化合物材料为代表的一类新型半导体。. 碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车将碳化硅 (SiC)粉体填满石墨坩埚的底部， 碳化硅 (SiC)籽晶粘结在距原料面有一定距离的石墨坩埚盖内部， 然后将石墨坩埚整体置于石墨发热体中， 通过调节外部石墨毡的温度，使碳化硅 (SiC)的原料置于高温区， 而碳化硅 (SiC)籽晶相应的处于低温区。 在超过 2000 ℃高温下， 碳化硅原料分解成升华的硅原子、SiC2分子以及 Si2C 分子等气 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展
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镍冶金技术问答 -中南大学出版社 Central South University
本书结合金川集团股份有限公司的生产实践， 以一问一答的形式总结了我国镍的生产经验， 并介绍了硫化镍矿火法造锍熔炼的原理和传统工艺、 最新闪速熔炼和富氧顶吹镍熔炼工艺、 转炉吹炼制取高镍锍、 高镍锍缓冷及磨浮分离、 熔铸硫化镍阳极板和电解精炼镍是一种化学元素。化学符号Ni，原子序数28，原子量58.69，属周期系Ⅷ族。古代埃及、中国和巴比伦人都曾用含镍量很高的陨铁制作器物，中国古代云南生产的镍矿中含镍量就很高。1751年瑞典A.F.克龙斯泰德用木炭还原红镍矿制得金属镍，其英文名称来源于德文Kupfernickel，含义是假铜。镍矿在地壳中镍矿_百度百科
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最火的粉体之一--碳化硅粉
在半导体领域 ，碳化硅被广泛用于制造电力电子设备，如肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。 由于碳化硅的优越性能，如高频高效、耐高压、耐高温、抗辐射能力强以及化学性质稳定等，它在半导体照明、5G通信技术、太阳能、智能电网、新能源并网等战略新兴领域有非常诱人的应用前景 ①熔炼。 镍精矿经干燥脱硫后即送电炉 (或鼓风炉)熔炼，目的是使铜镍的氧化物转变为硫化物，产出低冰镍 (铜镍锍)，同时脉石造渣。 所得到的低冰镍中，镍和铜的总含量为8%-25% (一般为13%-17%)，含硫量为25%。 ②低冰镍的吹炼。 吹炼的目的是为了除去铁和一部分硫，得到含铜和镍70%-75%的高冰镍（镍高锍），而不是金属镍。 转炉 镍：第三篇第四章《镍的冶炼技术与装备—硫化镍矿的火法
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碳化硅粉
碳化硅粉的造粒方法，包括以下步骤： 制备纳米级β-碳化硅粉浆料：将平均粒径不大于1.5μm的β-碳化硅粉与水以及分散剂按质量比 (0.1～0.2)∶1∶ (0.03～0.08)混合均匀，置于砂磨机中循环粉碎，直至混合料中固体物料的粒径为纳米级，得到30-100nm的纳米β-碳化硅粉浆料；向研磨得到的纳米β-碳化硅粉浆料中加入微米级α-碳化硅粉和粘结剂， 其基本原理是优质钢线在晶锭表面高速来回运动，附着在钢丝上的切割液中的金刚石颗粒对晶锭产生剧烈摩擦，使得材料碎裂并从母体表面脱落，达到切割的效果。 02 研磨 研磨的目的是 去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层 。 由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体 工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程
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镍基碳化硅复合材料结构性能第一性原理研究 汉斯出版社
本文运用第一性原理方法开展了对镍基碳化硅复合材料的研究，对四个位置掺杂氦原子后氦缺陷形成能计算，得到氦原子分布概率最大的位置；对掺杂氦后的界面键合状况分析，初步解释了纳米碳化硅颗粒在镍基体中的抗氦脆机理。碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用 石英砂 、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过 电阻炉 高温冶炼而成。 碳化硅在大自然也存在罕见的矿物， 莫桑石 。 在C、N、B等非氧化物高技术 耐火原料 中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为 金钢砂 或 耐火砂 。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化 碳化硅_百度百科
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碳化硅：第三代半导体核心材料-新华网
碳化硅：第三代半导体核心材料. 第三代半导体又叫宽禁带半导体，是以碳化硅、氮化镓等化合物材料为代表的一类新型半导体。. 碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车将碳化硅 (SiC)粉体填满石墨坩埚的底部， 碳化硅 (SiC)籽晶粘结在距原料面有一定距离的石墨坩埚盖内部， 然后将石墨坩埚整体置于石墨发热体中， 通过调节外部石墨毡的温度，使碳化硅 (SiC)的原料置于高温区， 而碳化硅 (SiC)籽晶相应的处于低温区。 在超过 2000 ℃高温下， 碳化硅原料分解成升华的硅原子、SiC2分子以及 Si2C 分子等气 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展
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镍冶金技术问答 -中南大学出版社 Central South University
本书结合金川集团股份有限公司的生产实践， 以一问一答的形式总结了我国镍的生产经验， 并介绍了硫化镍矿火法造锍熔炼的原理和传统工艺、 最新闪速熔炼和富氧顶吹镍熔炼工艺、 转炉吹炼制取高镍锍、 高镍锍缓冷及磨浮分离、 熔铸硫化镍阳极板和电解精炼镍是一种化学元素。化学符号Ni，原子序数28，原子量58.69，属周期系Ⅷ族。古代埃及、中国和巴比伦人都曾用含镍量很高的陨铁制作器物，中国古代云南生产的镍矿中含镍量就很高。1751年瑞典A.F.克龙斯泰德用木炭还原红镍矿制得金属镍，其英文名称来源于德文Kupfernickel，含义是假铜。镍矿在地壳中镍矿_百度百科
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最火的粉体之一--碳化硅粉
在半导体领域 ，碳化硅被广泛用于制造电力电子设备，如肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。 由于碳化硅的优越性能，如高频高效、耐高压、耐高温、抗辐射能力强以及化学性质稳定等，它在半导体照明、5G通信技术、太阳能、智能电网、新能源并网等战略新兴领域有非常诱人的应用前景 ①熔炼。 镍精矿经干燥脱硫后即送电炉 (或鼓风炉)熔炼，目的是使铜镍的氧化物转变为硫化物，产出低冰镍 (铜镍锍)，同时脉石造渣。 所得到的低冰镍中，镍和铜的总含量为8%-25% (一般为13%-17%)，含硫量为25%。 ②低冰镍的吹炼。 吹炼的目的是为了除去铁和一部分硫，得到含铜和镍70%-75%的高冰镍（镍高锍），而不是金属镍。 转炉 镍：第三篇第四章《镍的冶炼技术与装备—硫化镍矿的火法
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碳化硅粉
碳化硅粉的造粒方法，包括以下步骤： 制备纳米级β-碳化硅粉浆料：将平均粒径不大于1.5μm的β-碳化硅粉与水以及分散剂按质量比 (0.1～0.2)∶1∶ (0.03～0.08)混合均匀，置于砂磨机中循环粉碎，直至混合料中固体物料的粒径为纳米级，得到30-100nm的纳米β-碳化硅粉浆料；向研磨得到的纳米β-碳化硅粉浆料中加入微米级α-碳化硅粉和粘结剂， 其基本原理是优质钢线在晶锭表面高速来回运动，附着在钢丝上的切割液中的金刚石颗粒对晶锭产生剧烈摩擦，使得材料碎裂并从母体表面脱落，达到切割的效果。 02 研磨 研磨的目的是 去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层 。 由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体 工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程
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镍基碳化硅复合材料结构性能第一性原理研究 汉斯出版社
本文运用第一性原理方法开展了对镍基碳化硅复合材料的研究，对四个位置掺杂氦原子后氦缺陷形成能计算，得到氦原子分布概率最大的位置；对掺杂氦后的界面键合状况分析，初步解释了纳米碳化硅颗粒在镍基体中的抗氦脆机理。碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用 石英砂 、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过 电阻炉 高温冶炼而成。 碳化硅在大自然也存在罕见的矿物， 莫桑石 。 在C、N、B等非氧化物高技术 耐火原料 中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为 金钢砂 或 耐火砂 。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化 碳化硅_百度百科
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碳化硅：第三代半导体核心材料-新华网
碳化硅：第三代半导体核心材料. 第三代半导体又叫宽禁带半导体，是以碳化硅、氮化镓等化合物材料为代表的一类新型半导体。. 碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车将碳化硅 (SiC)粉体填满石墨坩埚的底部， 碳化硅 (SiC)籽晶粘结在距原料面有一定距离的石墨坩埚盖内部， 然后将石墨坩埚整体置于石墨发热体中， 通过调节外部石墨毡的温度，使碳化硅 (SiC)的原料置于高温区， 而碳化硅 (SiC)籽晶相应的处于低温区。 在超过 2000 ℃高温下， 碳化硅原料分解成升华的硅原子、SiC2分子以及 Si2C 分子等气 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展
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镍冶金技术问答 -中南大学出版社 Central South University
本书结合金川集团股份有限公司的生产实践， 以一问一答的形式总结了我国镍的生产经验， 并介绍了硫化镍矿火法造锍熔炼的原理和传统工艺、 最新闪速熔炼和富氧顶吹镍熔炼工艺、 转炉吹炼制取高镍锍、 高镍锍缓冷及磨浮分离、 熔铸硫化镍阳极板和电解精炼镍是一种化学元素。化学符号Ni，原子序数28，原子量58.69，属周期系Ⅷ族。古代埃及、中国和巴比伦人都曾用含镍量很高的陨铁制作器物，中国古代云南生产的镍矿中含镍量就很高。1751年瑞典A.F.克龙斯泰德用木炭还原红镍矿制得金属镍，其英文名称来源于德文Kupfernickel，含义是假铜。镍矿在地壳中镍矿_百度百科
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